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据外媒报道，三星宣布3nm工艺技术已正式流片。据介绍，三星的3nm工艺采用GAA架构，优于台积电的3nm FinFET架构。

报道称，三星与Synopsys合作完成了3nm工艺流片的进展，旨在加速为GAA架构的生产工艺提供高度优化的参考方法。因为三星的3nm工艺采用了与台积电或英特尔不同的FinFET架构，而是采用了GAA结构。因此，三星采用了 Synopsys 的 Fusion Design Platform。

在技​​术性能方面，GAA结构的晶体管可以提供比FinFET更好的静电特性，可以满足一定的栅极宽度要求。这主要表现在相同尺寸的结构上，GAA的通道控制能力可以得到加强，从而赋予进一步缩小尺寸的可能。

流片由新思科技和三星代工厂合作完成。此前，三星在2020年完成了3nm工艺的开发，但开发成功并不意味着，更不代表三星产品最终进入量产的时间可以确定。随着此次成功流片，三星3nm芯片量产的时间节点正式临近。